TSMC احتمالاً تولید انبوه تراشههای 3 نانومتری را از ماه آینده شروع میکند
براساس آنچه رسانهی کمرشال تایمز به نقل از تولیدکنندگان تجهیزات تراشهسازی مینویسد، شرکت تایوانی TSMC که بزرگترین تولیدکنندهی قراردادی تراشه در دنیا محسوب میشود از ماه آیندهی میلادی تولید ویفرهای مبتنیبر لیتوگرافی جدید N3 (کلاس سه نانومتری) را شروع میکند. اولین تراشههای ساختهشده با لیتوگرافی N3 در اوایل سال آیندهی میلادی به دست مشتریان تی اس ام سی میرسند.
TSMC بهطور معمول تولید انبوه لیتوگرافیهای جدیدش را در بازهی بین مارس تا می سال میلادی (اسفند تا اردیبهشت سال شمسی) آغاز میکند تا تعداد کافی از تراشههای مدرن برای نسل جدید آیفون دردسترس باشد. اپل بهطور معمول در اواخر شهریور نسل جدید آیفون را معرفی و چند هفته بعد عرضه میکند.
توسعهی لیتوگرافی سه نانومتری TSMC بیشتر از حد انتظار طول کشید و به همین دلیل جدیدترین گوشیهای اپل بهجای این لیتوگرافی قرار است از لیتوگرافی دیگری در پردازندهی خود استفاده کنند. دقیقاً در همان زمانی که اپل آیفون جدید را معرفی میکند، تولید انبوه اولین تراشهی سه نانومتری TSMC آغاز میشود.
TSMC پیشتر گفته بود که تولید انبوه تراشههای مبتنیبر لیتوگرافی N3 زودتر از سپتامبر (شهریور و مهر) شروع میشود.
– | مقایسهی N3E با N5 | مقایسهی N3 با N5 |
---|---|---|
بهبود قدرت با فرض ثابت ماندن مصرف انرژی | ۱۸+ درصد | ۱۰+ تا ۱۵+ درصد |
کاهش مصرف انرژی با فرض ثابت ماندن قدرت | ۳۴- درصد | ۲۵- تا ۳۰- درصد |
تراکم منطقی | ۱٫۷ برابر | ۱٫۶ برابر |
آغاز تولید انبوه | فصل دوم یا سوم ۲۰۲۳ | نیمهی دوم ۲۰۲۲ |
لیتوگرافی جدید سه نانومتری در مقایسه با لیتوگرافی پنج نانومتری TSMC با فرض ثابت بودن مصرف انرژی ۱۰ تا ۱۵ درصد قدرت بیشتر بههمراه میآورد و با فرض ثابت بودن قدرت و تعداد ترانزیستور، مصرف انرژی را ۲۵ تا ۳۰ درصد کم میکند. به گفتهی TSMC تراکم منطقی لیتوگرافی سه نانومتری تقریباً ۱٫۶ برابر بیشتر است.
انتظار میرود بازدهی لیتوگرافی N3 شرکت TSMC در برخی تراشهها کمتر از حد انتظار باشد. شرکت تایوانی افزونبر N3 روی لیتوگرافی N3E نیز کار میکند که تراکم ترانزیستورهایش کمی کمتر از N3 است. حدوداً یک سال پس از N3، تولید انبوه N3E هم شروع میشود، بااینحال برخی شایعهها میگویند ممکن است تراشههای مبتنیبر N3E زودتر از آنچه فکرش را میکنیم از راه برسند.
TSMC همچنین مشغول توسعهی لیتوگرافیهای N3P و N3S و N3X در کلاس سه نانومتری است.
- TSMC جزئیات پنج لیتوگرافی 3 نانومتری خود را اعلام و فناوری FinFlex را معرفی کرد
- TSMC لیتوگرافی 2 نانومتری N2 را با وعده ۵۶ درصد عملکرد بهتر از N5 معرفی کرد
TSMC میگوید فناوری جدیدی به نام FinFlex توسعه داده است که یکی از قابلیتهای کلیدی لیتوگرافی N3 محسوب میشود. FinFlex میتواند «تغییرپذیری طراحی تراشهها را بسیار بهبود دهد.» FinFlex به طراحان تراشه امکان میدهد با دقت بالا عملکرد، مصرف انرژی و هزینهها را بهینه و مدیریت کنند. این فناوری برای قطعاتی پیچیده نظیر پردازندهی مرکزی و پردازندهی گرافیکی بسیار مفید است و بهلطف آن، شرکتهایی مثل اپل و انویدیا و AMD میتوانند تراشههای باکیفیتتری برای کامپیوتر تولید کنند.
انتظار میرود اپل اولین مشتری لیتوگرافی N3 شرکت TSMC باشد.
سامسونگ، یکی از اصلیترین رقبای TSMC در بازار تراشه، از چند ماه پیش تولید تراشههای سه نانومتری را شروع کرد و سوم مردادماه در اطلاعیهای گفت که تحویل اولین محمولهی تراشهی سه نانومتری آغاز شده است. این دستاوردی بزرگ برای سامسونگ محسوب میشود، اما فراموش نکنید بین لیتوگرافی سه نانومتری کرهایها با تایوانیها تفاوت چشمگیری دیده میشود. تراشههایی که TSMC میسازد بهطور معمول بازدهی بهتری نسبت به تراشههای سامسونگ دارند.